I dagsläget erbjuder TI en tvåkretslösning, med radiodelen i en krets och basbandet och övriga funktionerna i den andra. Nu lanserar man en integrerad lösning, där allt utom avkopplingskapacitanser och antennfilter ingår. Med denna - företagets fjärde generation Bluetoothkretsar - sänker man också priset från fem dollar till fyra för den kompletta lösningen, inklusive kringkomponenterna.
- Enkretslösningar som uppfyller version 1.1 av standarden kommer att vara det gängse att implementera Bluetooth, åtminstone fram till 2005. Därefter kommer nog funktionerna att integreras i andra chips, exempelvis för GSM, GPRS, 3G eller Omap, säger Bryce Johnstone, ansvarig för Bluetoothmarknadsföring på Texas Instruments.
Den krets man nu lanserar, BRF6100, kan hantera både röst och data, och klarar att vara masterkrets för upp till sju slavkretsar. Den är dessutom mycket strömsnål. Jämfört med tvåkretslösningen är strömuttaget reducerat med 80 procent, till maximalt 22 mA. I viloläge är strömmen bara 20 uA. Radiokänsligheten anges till -85 dBm.
- Ett värde över -80 dBm anses bra. Bluetoothspecifikationen kräver -70 dBm, kommenterar Johnstone.
Förutom TIs egenutvecklade Bluetoothkärna innehåller kretsen en sändar- och mottagarfunktioner, en Armkärna som hanterar basbandet, ROM, RAM, samt klock-, effekt- och periferihanterare. Något externt minne behövs alltså inte. Bryce Johnstone understryker vikten av att ha sin egen Bluetoothkärna.
- Vår kärna är mycket bra på ljudkommunikation. Vi tror att hörlurar med högklassigt ljud blir mycket efterfrågade i takt med att MP3-spelare och FM-radiomottagare byggs in i mobiltelefonerna, säger han.
Att TI siktar på mer än bara mobiltelefoner visas också av att kretsen tål temperaturer i bilklass, alltså från -40 till +80 grader C.
Kretsen är gjord i 0,13 um rf-CMOS, vilket i detta fall innebär standard-CMOS med tre extra masklager för radiodelarna. Drygt 90 procent av rf-delen är digital. Kretsen finns för 1,8 och 3 V matning och levereras i en 64-kulors BGA-kapsel på 6 x 6 mm.
Adam Edström