Intel och AMD är inte överens. Intel menar att flashminnen som kan lagra fler bitar per minnescell hör framtiden till. AMD, däremot, menar att tekniken inte ger tillförlitliga minnen.


Intel och Advanced Micro Devices - världens två största tillverkare av flashminnen - väljer att gå helt olika vägar för att göra allt större flashminnen i framtiden. Medan Intel fortsätter att slipa på sin nya minnesarkitektur Strataflash, lanserar AMD en ny NAND-baserad arkitektur för lagring av stora datamängder.

Under flera år har Intel pratat om sitt Strataflash men först i september förra året släppte man de första familjemedlemmarna. Då lanserades ett minne på 64 Mbit som kan lagra två databitar per minnescell. Minnet finns nu i volymproduktion. Sedan dess har Intel även släppt provexemplar av en mindre modell på 32 Mbit i samma teknik.

Men medan Intel tydligt flaggar för flashminnen med flernivåslagring skakar AMD orubbligt på huvudet åt tekniken.

- Vi har tittat på flernivåslagring men anser inte att det är rätt väg att gå för att göra stora flashminnen, säger Peter Heinrich som är AMDs marknadschef för flashminnen i Europa.

Han menar att minnen som lagrar mer än en databit per minnescell inte kan göras tillräckligt tillförlitliga.

- Flashminnen som sitter i exempelvis bilar, mobiltelefoner och digitaltevemottagare måste vara oerhört tillförlitliga. Inte en bit får fallera, då kan hela tillämpningen haverera, säger Peter Heinrich.

- Däremot kan tekniken fungera i telefonsvarare och för bildbehandling där det ju inte är kritiskt om någon bit försvinner. Men vi anser att det finns bättre teknik även för dessa tillämpningar.

Tillförlitligheten hos ett flashminne brukar definieras av två parametrar. Dels hur många gånger minnet kan raderas, dels hur lång tid informationen kan lagras. Och med tanke på att AMDs flashminnen klarar en miljon skrivcykler, till skillnad mot 10 000 skrivcykler hos de första Strataflashen, kan man förstå att Peter Heinrich betonar vikten av just tillförlitlighet.



Ny NAND lika säker som NOR


För lagring av stora datamängder kommer AMD istället att satsa på en ny NAND- baserad flashminnesarkitektur som utvecklats tillsammans med partnern Fujitsu. Den ger, enligt AMD, lika tillförlitliga minnen som dagens NOR-teknik för enbitslagring.

- De första provexemplaren om 64 Mbit släpper vi i slutet på året och under första kvartalet nästa år skall de finnas i volymproduktion.

Samtidigt som NAND-minnet lanseras släpper företaget även traditionella NOR- minnen på 32 Mbit. Båda minnesvarianterna kommer att tillverkas i en 0,25 μm- process.

- När vi övergår till en 0,18 μm-process runt år 2000 kommer vi att kunna dubblera kapaciteten för båda våra flashminnesarkitekturer, påstår Peter Heinrich.

Men samtidigt som AMD ignorerar flernivåslagring satsar flera andra företag på tekniken.

Minneskortstillverkaren Sandisk - som faktiskt var först ut med flernivåslagring - släppte exempelvis ett 80 Mbit-minne i slutet

på förra året. Det är tillverkat i en 0,35 μm-process och kan drivas med både 3 och 5 V. I dagsläget jobbar företaget dessutom med ett minne som kan lagra 256 Mbit.

Sandisk räknar med att deras teknik skall kunna göra att kostnaden per Mbyte hos framtidens flashminnen skall kunna halveras för varje år som går. Målet är att en Mbyte inte skall kosta mer än 2,5 dollar vid årsskiftet.

Även SGS-Thomson och Mitsubishi tror på flernivåslagring. I februari tillkännagav företagen ett samarbete som innebär att de skall kunna erbjuda volymer av flashminnen på 64 Mbit som kan lagra två bitar per cell redan under nästa år. Drivkraften är tron på att 64 Mbit-flash kommer att stå för nära 20 procent av hela flashmarknaden redan år 2001.

Intel ligger inte heller på latsidan. Under året skall en 0,25 μm-process finnas framme och under nästa år planerar företaget att släppa ett Strataflash på 128 Mbit. I labbet tittar man också på att lagra tre databitar i varje minnescell, en teknik man tror är mogen om cirka tre år.

På Intel menar man dessutom att Strataflashet inte alls är otillförlitliga.

- Det är lika tillförlitligt som våra traditionella flashminnen, vilket visas i våra datablad, säger Mats Selin på Intels svenska kontor.

Numera klarar Strataflashet 100 000 raderingar och den nedre temperaturgränsen har utökats från 0°C till -20°C för att passa GSM-kraven.

- Den enda kompromissen som tekniken kräver är att accesstiden ökar, samt att kärnan kräver lite högre spänning. Accesstiden för till exempel ett 32 Mbit- minne ökar från cirka 70 ns till 100 ns, säger Mats Selin.

Anna Wennberg