I Intels reviderade plan ska 193 nm-litografi göra tjänst i tre kiselgenerationer: 90 nm, 65 nm såväl som 45 nm. Därefter får någon annan teknik, eventuellt EUV-litografi (extremt ultraviolett ljus), ta över för tillverkning av 32 nm-kisel. Företaget hoppar med andra ord över optisk 157 nm-litografi, en teknik som Intel har sagt sig investera mycket i.
Gränsen för 193 nm-tekniken har tidigare ansetts gå redan vid 65 nm-strukturer. För att skapa finare geometrier skulle ljus med kortare våglängd krävas för att belysa de fotomasker som används för att överföra ett önskat mönster på kiselsubstratet. Enligt Intels tidigare planer skulle därför 157 nm-litografi börja användas för 65-nm-processer bortemot år 2005 och för 45 nm-processer år 2007.
Peter Hayward vill inte kommentera huruvida tekniska svårigheter ligger bakom beslutet att överge 157 nm-litografin. Det har dock varit känt att tekniken bjuder på tuffa utmaningar. Optiken har pekats ut som den kanske största huvudvärken. De korta våglängderna kräver stora, extremt rena, och därmed extremt dyra, kristaller tillverkade i kalciumflourid, CaF2. Andra stötestenar är resisterna samt den tunna hinna som skyddar maskerna från att kontamineras samtidigt som ljuset släpps igenom.
Det finns olika angreppssätt att ta till för att förlänga 193 nm-verktygens livslängd. Med hjälp av OPC-teknik (Optical Proximity Correction) kan man exempelvis justera maskerna så att det avbildade mönstret blir som önskat. Ett annat knep är att utnyttja linser med högre numerisk apertur.
- Jag kan inte avslöja några detaljer om vilka tillverkningsmetoder vi kommer att använda, säger Peter Hayward.
Enligt uppgifter i amerikanska tidningar kommer Intel emellertid inte att sänka ner linserna i en vätska, vilket också kan förbättra upplösningen.
Charlotta von Schultz