JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. IR släpper GaN-krets

Premiär för IR:s GaN-kraft

Amerikanska International Rectifier har lanserat sina första kommersiella kraftkretsar tillverkad i galliumnitrid. De har högre verkningsgrad och switchar dubbelt så snabbt som kiselbaserade alternativ, hävdar företaget.
Egentligen handlar det om två familjemedlemmar som International Rectifier släpper idag, iP2010 och iP2011. Båda är tillverkade i galliumnitrid och siktar på multiphase- och POL-tillämpningar (point-of-load).   

Kretsen iP2011 klarar 7 till 13,2 V in, 0,6 till 5,5 V ut och levererar som mest 20 A. Kretsen kan switcha med hela 5 MHz, vilket innebär att storleken på de passiva kringkomponenter som används kan krympas rejält jämfört med då kiseldito används, hävdar IR.

Systerkretsen iP2010 hanterar samma spänningsnivår som iP2011 men switchar maximalt med 3 MHz, och levererar hela 30 A.

Kretsarna finns tillgängliga och är benkompatibla. De kommer kapslade i LGA, som mäter 7,7 x 6,5 mm.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)