JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
onsdag 27 maj 2020 VECKA 22
Guidelines for contributing Technical Papers: download PDF

ST Microelectronics och TSMC ska i gemensam regi bana väg för nya kraftkomponenter och halvledare i galliumnitrid. Tillsammans ska företagen utveckla processteknik för GaN och därmed accelerera utbudet av både diskreta och integrerade GaN-kretsar.

Galliumnitrid – GaN – är ett material med brett bandgap, vilket medför en hel del fördelar jämfört med kisel i krafttillämpningar. Det har exempelvis högre energieffektivitet vid högre effekt, vilket minskar parasitförlusterna. GaN-baserade kretsar kan dessutom switcha betydligt snabbare än kisel-dito. Det bäddar för små och kompakta enheter.

Nu vill ST trycka på för att snabbast möjligt få ut en GaN-portfölj. Genom samarbetet med TSMC siktar ST speciellt på fordonssektorn och industri. Främst handlar det om GaN-kretsar för 100V och 650V.

ST förväntar sig att samarbetet ska utmynna i en första leverans av provexemplar inom några månader. Först handlar det om diskreta kraftkretsar, därefter integrerade GaN-kretsar.

– GaN representerar nästa stora innovation inom kraft och smart kraftelektronik, men också inom processteknik, säger Marco Monti, på ST Microelectronics i ett pressmeddelande.

Parallellt med att ST och TSMC bygger upp produktionskapacitet hos det taiwanesiska foundryt fortsätter ST att utvecklöa sin verksamhet kring power-GaN i franska Tours.

MER LÄSNING:
 
Här får du våra nyheter gratis
• Tidningen, i brevlådan (länk).

• Dagligt nyhetsbrev (länk).

245
elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)