JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN – ett steg närmare dig

GaN – ett steg närmare dig

För knappt ett halvår sedan avslöjade halvledarföretagen On Semiconductor och Transphorm  att de i gemensam regi ska ta fram en första 600 V GaN-lösning. Nu är företagen redo att lansera två gemensamma kraftkretsar samt ett referenskonstruktion (bild).
Transphorm, grundat år 2007 och med rötter i University of California, var först i världen med att kvalificera GaN-on-Si-transistorer för 600 V. Sedan början av detta år masstillverkar företaget GaN-transistorer hos Fujitsu Semiconductor i en CMOS-kompatibel fabrik i Japan. Dessa HEMT:ar utgör kärnan i de nya kretsarna som nu lanseras av On Semiconductor och Transphorm.

De två första GaN-kretsarna som ser dagens ljus har en typisk on-resistans på 150 mΩ respektive 290 mΩ. Lanserade av Transphorm går de under beteckningen TPH3202PS och TPH3206PS, medan de hos On Semiconductor går under namnen NTP8G202N samt NTP8G206N.

Referenskonstruktion som också lanseras ger 12V och 20 A samt har en två-stegs-arkitektur. I ett första steg omvandlas växelspänning till en likspänning på 385 V. Det andra steget är ett isolerat DC/DC-steg. Här omvandlas 385 V till 12V. I båda stegen används samma GaN-transistorer som nämnts ovan för själva switchningen.

Bilden ovan visar referenskonstruktionen från On Semiconductor, som säljs under beteckningen NCP1397GANGEVB. Motsvarande kort från Transphorm har beteckningen TDPS250E2D2
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)