GaN – ett steg närmare dig
För knappt ett halvår sedan avslöjade halvledarföretagen On Semiconductor och Transphorm att de i gemensam regi ska ta fram en första 600 V GaN-lösning. Nu är företagen redo att lansera två gemensamma kraftkretsar samt ett referenskonstruktion (bild).De två första GaN-kretsarna som ser dagens ljus har en typisk on-resistans på 150 mΩ respektive 290 mΩ. Lanserade av Transphorm går de under beteckningen TPH3202PS och TPH3206PS, medan de hos On Semiconductor går under namnen NTP8G202N samt NTP8G206N.
Referenskonstruktion som också lanseras ger 12V och 20 A samt har en två-stegs-arkitektur. I ett första steg omvandlas växelspänning till en likspänning på 385 V. Det andra steget är ett isolerat DC/DC-steg. Här omvandlas 385 V till 12V. I båda stegen används samma GaN-transistorer som nämnts ovan för själva switchningen.
Bilden ovan visar referenskonstruktionen från On Semiconductor, som säljs under beteckningen NCP1397GANGEVB. Motsvarande kort från Transphorm har beteckningen TDPS250E2D2