About / Advertise
Amerikanska GaN Systems säger sig ha världens bredaste portfölj när det gäller krafttransistorer i galliumnitrid-på-kisel. Nu har företaget släppt ett utvärderingspaket – ett moderkort och fyra dotterkort – tänkt att göra det enkelt för ingenjörer att utvärdera 650V E-HEMT:ar i olika system.
Plattformen består av ett moderkort och fyra dotterkort som spänner från 750 W till 2 500 W. Den är tänkt att användas för att utvärdera prestanda hos GaN-transistorer i en mängd olika konstruktioner, men fungerar också som referenskonstrunktion.
Moderkortet, GS665MB-EVB, är universellt medan dotterkorten är bestyckade med två så kallade Enhancement-mode HEMT:ar vilket innebär att GaN-transistorerna inte leder utan pålagd gate-spänning (normally-off). Dessutom innehåller de alla nödvändiga kretsar utöver transistorer, såsom half-bridge gate-drivare, isolerade kraftkretsar samt kylfläns, för den som önskar.
Dotterkorten är döpta efter transistorerna som sitter på. Det betyder att kortet bestyckat med två GS66504B – en 650V GaN E-HEMT som levererar 15 A – heter GS66504B-EVBDB. De tre andra korten innehåller transistorerna GS66508B (30A), GS66508T (30) samt GS66516T (60A), där T står för top-side cooled.
De vertikalt monterade varianterna har höjden 35 mm, vilket passar de flesta U1-konstruktioner. Det gör dem enligt GaN Systems enkla att användas för att utvärdera GaN-transistorer i traditionella hålmonterade kraftkonstruktioner.
Bilden visar dotterkortet GS66516T-EVBDB
