JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

50 procent lägre switchförluster och 40 procent lägre on-resistans utan att risken för kortslutning ökar. Så presenterar japanska Rohm sin fjärde generation av MOSFET:ar i kiselkarbid.

Precis som föregångarna är transistorerna av trenchtyp men har flexiblare krav på drivning än tidigare. De fungerar med 15–18 V plus att de har unipolär (0 V) turn-off.

Rohm har släppt 22 modeller varav 12 är certifierade enligt fordonsstandarden AEC-Q101. De är på 700 V eller 1200 V, 24 till 105 A, 13 till 62 mΩ och 93 och 312 W.

Kapslingsalternativen är TO-247-4L, TO-247N och TO263-7L.

Om man som exempel tar den komponent som är specificerad för högst ström (750V 105A TO-247-4L SCT4013DR) så har den typiskt 13 mΩ. Vid 25°C är den maximalt 16,9 mΩ. Resistansen ökar till 22,2 mΩ vid 150°C (18 V gate, 58 A drain).

Den totala laddningen på gaten är typiskt 170 nC (500 V, 58 A, 18 V gate).

Fördröjning vid till- och frånslag är 17 respektive 82 ns medan stig- och falltid är 32 respektive 17 ns.

Switchförlusten vid tillslag är 500 μJ och 310 μJ vid off (siffrorna gäller när gaten switchar mellan +18 V och 0 V och utan negativ drivning.

Den interna dioden återhämtar sig på 16 ns för 290 nC och ett framspänningsfall på 3,3 V.

För den som snabbt vill testa transistorerna finns utvärderingskort.

 

MER LÄSNING:
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus