JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN-transistorer för 650V från Infineon

Hösten 2021 annonserade Infineon ett samarbete med Panasonic kring GaN-transistorer för 650 V. Nu är HEMT-transistorerna i CoolGaN-familjen i volymproduktion.

Kraftaggregat till servrar och telekomutrustning men också konsumentprodukter som laddare, motordrivning, tv-apparater och belysningar är tillämpningar som Infineon lyfter fram.

Tillverkningen sker på åttatumsskivor i en GaN-på-kiselprocess vilket enligt företaget borgar för ett bra pris.

Transistorerna är av HEMT-typ, mer specifikt HD-GIT (hybrid-drain-embedded gate injection transistor) och leder inte utan drivspänning, de är "normally off".

Transistorerna kommer kapslade i DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81 och TSON-8 med kylning på antingen ovansidan eller undersidan. Det finns olika resistanser (RDSon) att välja på, från 42 till 340 mΩ.

Förutom som rena transistor går det att få en färdiga halvbrygga (baserad på två GaN-switchar) med en kanal.

Produkterna uppfyller JEDEC-standarderna JESD47 och JESD22 

 

MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)