I höst tittar Elsäkerhetsverket närmare på USB-laddare med komponenter i galliumnitrid. Frågan verket vill ha svar på är hur elsäker den nya tekniken är?
Galliumnitrid, GaN, gör det möjligt att switcha vid högre frekvenser jämfört med komponenter i kisel, resultatet blir fysiskt mindre laddare som dessutom har lägre förluster i omvandlingen. Samtidigt ger de högre switchfrekvenserna nya utmaningar ur EMC- och elsäkerhetssynpunkt.
– Utvecklingen går rasande fort och GaN-tekniken låter tillverkarna att krympa laddarna drastiskt, men de fysiska lagarna kring radiostörningar gäller fortfarande, säger Emil Albinsson, EMC-expert på Elsäkerhetsverket i ett pressmeddelande.
– Vi gör den här insatsen nu för att se hur väl marknaden faktiskt hanterar tekniken, innan vi börjar se samma utmaningar i kraftfullare applikationer som till exempel elbilsladdare.
Insatsen riktas mot laddare över 65 W där GaN lyfts fram i marknadsföringen. Urvalet kommer främst att omfatta produkter från marknadsplattformar och mindre aktörer, men även modeller från etablerade återförsäljare kan bli aktuella.
Produkterna testas under hösten 2026, med resultat beräknat i vinter.

