Det kombinerar datatakter och densitet från ett seriellt flash med flexibilitet på bytenivå hos ett EEPROM. ST Microelectronics nya Page EEPROM passar hörapparater och andra utrymmesbegränsade och strömsnåla produkter.
Minnet finns i storlekar på 8 Mbit, 16 Mbit och 32 Mbit vilket betydligt mer än vad man hittar i vanliga EEPROM. Det har smart sidhantering vilket gör det möjligt att skriva på byte-nivå för processer som dataloggning, samtidigt som det stöder radering av sidor, sektorer eller block. Det går att skriva upp till 512 byte i ett svep vilket passar bra vid uppdateringar av av firmware.
Minnena tillåter också buffertladdning, vilket gör att man kan skriva flera sidor samtidigt och därmed korta ner tiden för laddning av programvara i produktionen.
Dataläsningshastigheten på 320 Mbit/s är cirka 16 gånger snabbare än vanliga EEPROM, medan skrivcykeltåligheten på 500 000 cykler är flera gånger högre än för seriella flashminnen.
Page EEPROM har en skrivström som är lägre än för många konventionella EEPROM och det finns också ett djupt strömsparläge med snabb uppstart som minskar strömmen till under 1 µA.
Datalagringen är garanterad i hundra år och minnena ingår i ST:s tioåriga produktlivslängdsprogram.
Minnena är i produktion och kostar från 0,50 dollar för 8 Mbit.