About / Advertise
Cypress Semiconductor har kommit med ett SRAM som förbrukar upp till 90 procent mindre effekt än sina föregångare. Målet är att öka taltiden i morgondagens mobiltelefoner.
Cypress har lyckats kombinera ett antal effektsparande trick i sin senaste SRAM- familj. Resultatet är ett minne som enbart förbrukar 3 mA vid 1,8 V i aktivt läge, samt 1 μA i viloläge.
Namnet på det nya minnet är More Battery Life, MoBL. Och tanken hos Cypress har varit att utveckla ett SRAM med så gott som försumbar effektförbrukning. Allt för att mobiltelefontillverkarna skall stryka SRAM-kretsarna från den egna "att fixa listan".
En av minnets finesser är att det automatiskt läggs i viloläge under inaktiva perioder. Ändå drabbas det inte av någon fördröjning då den återigen aktiveras. Det innebär att minnet hela tiden har en åtkomsttid på 70 ns då det matas med 2,7 V, eller 100 ns vid 1,8 V-matning.
Ytterligare en finess är att minnet delats upp i en mängd block, likt en massa små SRAM. När minnet processas aktiveras inte hela minnet, utan enbart de block som innehåller data som berörs. Tillsammans har de olika effektspartricken gjort att taltiden hos en mobiltelefon som använder MoBL-minnet kan ökas med upp till 10 procent, hävdar Cypress.
Till en början kommer minnet att släppas i två 2 Mbit-versioner, kallade CY62136V och CY62138V. Det förstnämnda är organiserat som 128k x 16, medan det andra är organiserat som 256 x 8. I början på nästa år kommer även 4 Mbit-minnen att dyka upp.
Anna Wennberg
