Japanska NEC räknar med att under hösten lansera en 64 Mbit ROM-krets, som blir deT första kommersiella halvledarminnet som lagrar två minnesbitar i en enda cell. Cellen består av en enda transistor.
Flera andra halvledartillverkare är dock också på gång att introducera minnen med samma funktioner. SGS-Thomson Microelectronics väntas exempelvis, redan i början av nästa år, släppa en EPROM-krets, som även den kan lagra två bitar per cell.
Och Intel, som redan demonstrerat en flernivåbaserad flashkrets vid ett par konferenser i år, räknar med att kunna lansera en färdig flernivåflash i mitten av 1997. Även Samsung har demonstrerat en flernivåkrets, ett 128 Mbit minne tillverkat i en 0,4 μm-process.