About / Advertise
Gör så mycket som möjligt så sent i skrivcykeln som möjligt. Då går det att klara 200 MHz idag och 500 MHz om några år. Det är tanken bakom Motorolas synkrona minne Late-Write SRAM.
Halvledartillverkaren Motorola har utvecklat ett nytt minne, kallat Late-Write SRAM.
Det är ett mycket snabbt synkront minne speciellt framtaget för att arbeta tillsammans med snabba riscprocessorer som exempelvis Ultrasparc, PA-Risc, Mips, Alpha och PowerPC. Motorola kommer att utveckla både 1- och 4 Mbit-versioner av det nya minnet.
Volymproduktion nästa år
Den större varianten finns redan i provexemplar, medan volymproduktionen skall vara igång i början på nästa år. De första minneskretsarna klarar busshastigheter på upp till 200 MHz. Bara inom några år tror dock Motorola att det kommer att klara klockhastigheter på hela 500 MHz.
Det nya minnet har många likheter med traditionella synkrona snabba SRAM.
Det som skiljer dem åt är att konventionella FSRAM, exempelvis Burst-RAM, måste ha adresser, styrsignaler och data tillgängliga i början av en skrivcykel. Ett Late-Write SRAM behöver däremot inte indata förrän i slutet av cykeln.
Konsekvensen blir att traditionella minnen alltid måste vänta två hela klockcykler då bussen byter läge från att ha läst från minnet till att skriva till det. Med det nya minnet går det mycket snabbare att växla från läsning till skrivning av minnet. Som mest tar det en klockcykel.
Dubbelt så effektivt
Hur fördelaktigt ett Late-Write-minne blir beror därmed till största delen på tilllämpningen.
I exempelvis switch- och filtertillämpningar, där man ofta växlar från läsning till skrivning och vice versa kan det nya minnet bli dubbelt så effektivt att använda, jämfört med traditionella minnesvarianter.
Alla kretsar i Late-Write-familjen kommer att få matningsspänningen 3,3 V. De tillverkas i en 0,4 μm BiCMOS-process och förpackas i BGA-kapslar med 119 lödkulor. Anna Wennberg
