Toshiba hävdar att det nya minnet, som innefattar en återhämtningsfunktion, kan ersätta både traditionella SRAM och DRAM. Därmed kan man ta bort en del logik och en DRAM-relaterad styrkrets, vilket spar utrymme jämfört med då ett traditionellt DRAM används.
Med Pseudo-SRAM riktar Toshiba in sig mot mobiltelefoner, handdatorer och liknande trådlösa kommunikationsprodukter med stort minnesbehov. Minnet är anpassat för en matningsspänning mellan 2,5 till 3,1 V och har en åtkomsttid på 80 ns. Strömförbrukningen i viloläge ligger på 70 mA. Minnet har konfigurationen 2 x 16 och kommer i en FBGA med 48 lödkulor.
Provexemplart kommer att finnas under tredje kvartalet i år. Volymproduktionen kommer att kunna sätta fart ungefär två månader senare. Toshiba planerar att lansera större minnesvarianter längre fram, då bland annat i storleken 64 Mbit.
Lisa Ringström