About / Advertise
MRAM, FeRAM, OUM, polymerminnen och mems spås goda odds. Minst en av teknikerna snart i volymproduktion tack vare nya marknadsnischer, tror analytiker
Fler minnestekniker än någonsin utmanar de regerande minnesvarianterna SRAM, DRAM och flash. Minst en uppstickare väntas få sitt genombrott de närmaste åren tack vare framväxande marknadsnischer, enligt analytikerna på Instat.
Ny minnesteknik kan revolutionera halvledarindustrin - om bara någon lyckas tillverka stora volymer till rimligt pris.Fler minnestekniker än någonsin utmanar de regerande minnesvarianterna SRAM, DRAM och flash. Minst en uppstickare väntas få sitt genombrott de närmaste åren tack vare framväxande marknadsnischer, enligt analytikerna på Instat.
Det är förvisso ingen nyhet. Genom åren har ett otal uppstickare utmanat de härskande SRAM- och DRAM-alternativen. Alla utom flash har stupat på minnefrontens Moment 22: i små volymer blir priset för högt, och när priset är högt finns ingen efterfrågan som ger stora volymer.
Ändå slåss fler minnestekniker än någonsin om att få ersätta SRAM, DRAM och flash. Ett stort antal företag investerar i tekniker som magnetoresistiva minnen(MRAM), ferroelektriska minnen(FeRAM), OUM, polymerminnen och mems. Vissa kan redan erbjuda kommersiella produkter, de flesta befinner sig fortfarande på prototypstadiet.
Vad krävs för att de ska lyckas där så många tidigare gått bet? Ja, enligt analytikerfirman Instat så måste något av följande kriterier uppfyllas:
* möjligheten att ersätta två chips med ett enda chips
* betydligt större lagringskapacitet än vad dagens minnen kan erbjuda till en acceptabel kostnad
* någon annan markant fördel för användaren utan att priset blir högre
Och Instat tror faktiskt att några av de nya minnesvarianterna har en chans att klara någon av dessa kriterier och därmed få ett genombrott på nya marknadsnischer, nischer där dagens etablerade minnen inte är tillräckligt bra.
- En eller fler av dessa tekniker kommer att börja levereras i volym inom de närmaste fem åren, säger Steve Cullen, analytiker på Instat.
Han ser två stora framväxande marknadstrender som förklarar det ökade intresset för nya minnestyper: dels bärbara produkter där ett enda universalminne skulle kunna spara yta såväl som effektförbrukning, dels produkter som kräver stora minnesmatriser för att spara stora mängder ljud- och bilddata.
Universalminne idealet i mobil
I dagens mobiltelefoner och PDA-er krävs både ickeflyktigt flashminne som behåller konfigurationsdata när telefonen stängs av och snabbare SRAM som gör tjänst som arbetsminne. Dessa sitter förvisso numera ofta staplade ovanpå varandra i samma kapsel. Men idealet vore ett universalminne som var både ickeflyktigt och snabbt.
MRAM, FeRAM och OUM kan bli det universalminnet, om de går att producera till en totalkostnad som är lägre än kostnaden för SRAM- och flash. Gärna till en lägre effektförbrukning.
Ingen snabb övergång
Behovet av stora minnesmatriser för ljud- och bild i exempel digitalkameror och MP3-spelare kan öppna dörren för polymerminnen och mems-baserade minnen, resonerar Instat.
- Men vi ska inte räkna med att se den snabba övergång som markerade början på DRAM-eran. I bästa fall kan övergången äga rum i den takten som Flash utvecklades i sina första år, säger Steve Cullen.
För flashminnena tog det nästan ett decennium från introduktion till allmän framgång.
Minnestillverkarna ska inte heller vänta sig några jätteintäkter från uppstickarminnena i närtid. Instat bedömer att de nya minnena kan generera 250 miljoner dollar år 2006. Det är förvisso en icke föraktlig summa, men bara en bråkdel av den totala minnesmarknaden.
Läs mer:
FeRAM brottas med kapaciteten
MRAM mognar
OUM snart ute ur labben
Svensk plastteknik i framkant
Hålkort ger triljon bitar
Charlotta von Schultz
