Transistorn på 6 nm har åstadkommits med 248 nm-litografi på kisel-på-isolatorsubstrat. En viktig faktor var att man lyckades förtunna tjockleken på kisellagret i substratet till mellan 4 och 8 nm, och ändå lyckats bibehålla till- och frånslagsfunktionen i transistorn.
I massproduktion skulle kretsar med dessa minimala transistorer rymma 100 gånger fler funktioner per ytenhet än med 90 nm-teknik. Mycket arbete återstår dock för att även hastighet och effekttäthet ska skala lika bra som storleken. Det IBM-forskarna gjort är framför allt att demonstrera att den grundläggande transistoridén fungerar även vid dessa dimensioner.
Adam Edström