Företaget hoppas att valet då ska falla på minnen av nand-typ, som hittills inte varit vanliga i mobiltelefoner. Där används normalt flash av nor-typ, som ger hög läshastighet och gör det möjligt att exekvera program direkt från minnet. Att skrivning och radering går långsamt spelar mindre roll.
Men i telefoner med video och multimediafunktioner ökar minnesbehovet radikalt, och man måste även kunna skriva snabbt till minnet. Det talar för nand-minnen, resonerar M-system. Nand-teknikens styrkor är just skrivhastigheten samt att cellerna är små, vilket ger mer minne till lägre kostnad än nor-tekniken.
- Flashminnet är telefonens tredje dyraste komponent, och när minnesbehovet ökar blir flashpriset allt viktigare, menar Arie Tal.
Det nya minnet rymmer 512 Mbit av partnern Toshibas 0,13 um flernivås nand-flash (MLC, Multi Level Cell). Det lagrar alltså två databitar per minnescell.
- Det är marknadens första MLC-baserade nand-minne, säger Tal.
Styrning och SRAM inbyggt
Företaget har dessutom integrerat styrfunktioner och ett litet SRAM för initieringsfunktioner som måste exekveras direkt från minnet. Därmed är ett nor-minne överflödigt, menar M-systems.
För att underlätta för nor-användare har minnena nor-gränssnitt. Andra finesser är effektsparande funktioner, direkt minnesåtkomst (DMA) samt funktioner för att upptäcka och rätta fel.
Minnena är uppdelade i två minnesbankar och klarar skurvis läsning av upp till 80 Mbyte/sek. Åtkomsttiden sägs vara 25 ns vid skurvis läsning.
Familjen heter Mobile Disk on Chip 3G, provexemplar på 512 Mbit ska levereras under andra kvartalet. Planer finns för 245 Mbit och 1 Gbit.
Charlotta von Schultz