Finessen med ferroelektriska minnen är att de är snabba plus att de behåller sitt innehåll när strömmen slås av. Minneskapaciteten har emellertid hittills varit modest på grund av den förhållandevis stora minnescellen, som bestått av två transistorer och två kapacitanser. Hemligheten bakom Hynix Megabit-kretsar sägs vara att företaget gått över till en minnescell med en transistor och en kapacitans. Sådana minnen utvecklas även av exempelvis Samsung och Ramtron.
Hynix nya minnen finns i provexemplar tillverkade i en 0,25 μm process. De 3,0 V-matade kretsarna ger åtkomsttider på 70 ns och ska klara 100 miljarder läs-skriv-cykler.
Hynix har utnyttjat nya ferroelektriska material, vilket sägs förbättra minnenas tillförlitlighet. Företaget planerar nu att utveckla och massproducera 64 Mbit-minnen.
Hynix har sökt fler än 150 amerikanska patent på sin FeRAM-teknik. Förutom Hynix är ett tiotal företag verksamma inom ferroelektriska minnen.
Charlotta von Schultz