Att Intel vågar slå fast en tidpunkt beror på att företaget nu fått fram ett fullt fungerande SRAM på 70 megabit tillverkat med 65 nm processteknik.
Minnet som är 110 kvadratmillimeter stort innehåller över en miljard transistorer. Varje minnescell är uppbyggd av sex transistorer och upptar en yta av 0,57 kvadratmikrometer.
Transistorernas effektiva kanallängd är 35 nm vilket är 30 procent mindre än i dagens 90 nm-process. Oxidlagret i kanalen (gaten) är inte mer än 1,2 nm vilket är samma som i dagens process. Trots det minskar kapacitansen med ungefär 20 procent eftersom kanallängden är kortare.
Övergången från 90 nm till 65 nm ser ut att bli relativt oproblematisk. Processen är i stort sett oförändrad med bland annat material med låg dielektricitetskonstant (low-k) och sträckt kisel.
Enligt företaget ger den nya versionen av sträckt kisel 10 till 15 procent bättre prestanda utan att läckströmmen och därmed värmeutvecklingen ökar.
Alternativt så kan man minska läckströmmen med en faktor fyra om prestanda hålls konstant jämfört med dagens 90 nm-process.
Den stora förändringen är att Intel inför något som kallar för "sleep transistors" i SRAM-arkitekturen. De extra transistorerna stänger av strömmen till de delar av SRAM-minnet som inte används för tillfället. Intel räknar med att det ska minska läckaget med en faktor tre.
Per Henricsson