Processen består av ett CMOS-substrat med kanallängden 0,6 μm samt skyddande oxidskikt tillräckligt för att hantera 30 V. Det gör att man kan få full isolering mellan olika delkomponenter eller mellan substratet och en komponent. En krets kan därmed blanda vanlig 5 V CMOS med 16-, 24- eller 30 V-lösningar samtidigt som den kan matas med flera olika spänningsnivåer.
- Tidigare har man ofta valt en 3 μm eller 5 μm för att hantera 30 V om man vill lägga till digitala funktioner till dessa får man oacceptabelt stora kretsar, säger Dick Meaney, ansvarig för precisionsomvandlare på Analog Devices.
85 procent mindre energi
- Med vår process går det att göra analoga kretsar som har 30 procent mindre storlek, är flera gånger noggrannare och upp till 85 procent energisnålare än tidigare.
Under mässan introducerade företaget dessutom de allra första produkterna som ska tillverkas i den nya processen. Totalt handlar det om femton kretsar, därav en 16-bitars quad DA-omvandlare (AD5764), sex AD- omvandlare (AD732x och AD765x) med bipolära ingångar och flera kanaler, en op-förstärkare med hög noggrannhet (AD8661) samt sju switchar (ADG12xx) och multiplexrar (ADG14xx).
Alla kretsar finns i prover och planen är att de ska börja volymtillverkas vid olika tidpunkter under första halvan av nästa år.
Anna Wennberg