About / Advertise
Halvledarföretaget AMD tror sig kunna krympa sin nuvarande stackade flashminnescell ner till 65 nm-processer. Men sedan krävs nya grepp. Vid konferensen IEDM, International Electron Device Meeting, i mitten av december presenterade företaget en kandidat till kommande flashstrukturer.
Tekniken bygger på en traditionell minnescell fast utan flytande gate. I transistorns gateoxid har AMD-forskarna, enligt den amerikanska tidningen Electronic Engineering Times, lyckats bygga in en pytteliten horisontell ring som omsluter kanalen. Ringen kallas för polynanowire och består av polykisel med ett droppformat tvärsnitt. Den separeras från både gate och kanal av extremt tunna oxidlager, mindre än 2 nm tjocka.
Den lilla ringen beter sig som den flytande gaten i en konventionell flashcell - laddning kan flyttas till eller från ringen. Det intressanta är att programmeringstiderna blev markant kortare när forskarna testade att göra även ringen extremt tunn, runt 2 nm. Enligt EET tror forskargruppen att det kan bero på en kvanteffekt. De uppskattar att endast 200 till 1000 elektroner fångas i ringen, vilket har givit programmeringstider på endast 70 ns. Trots det är laddningen tillräckligt stor för att ge en tröskelspänning som kan avläsas.
Hittills har man dock endast studerat enskilda celler i AMDs labb, det återstår att se hur matriser av minnesceller uppför sig.
Även Motorola tog tillfället i akt att presentera en ersättare till flash vid årets IEDM. Företaget utvecklar ett ickeflyktigt minne kallat Sonos. Sonos uttyds silicon-oxide-nitride-oxide-silicon, vilket är de material som Motorolaforskarna staplat ovanpå varandra för att skapa minnet, se Elektroniktidningen, nr 19.
Charlotta von Schultz
