About / Advertise
En RAM-arkitektur där kondensatorn ersätts av en transistor är vad Renesas har utvecklat. Snabbare och effektsnålare minnen för inbyggnad är resultatet, hävdar företaget.
Renesas Technology har utvecklat ett skriv- och läsminne utan kondensator, men med två transistorer istället.
De två transistorerna är seriellt förbundna på ett kisel-på-isolator-substrat. Den ena hanterar access, medan den andra används för lagring och således uppfyller samma funktion som kondensatorn i en traditionell DRAM-cell.
Minnet, kallat tvillingtransistor-RAM (TTRAM), ska integreras i system-på-kisel-lösningar och tanken är att det ska tillverkas i en 65 nm kisel-på-isolator-process (SOI).
Hittills har företaget tagit fram ett testchips på 2 Mbit tillverkat i en 130 nm SOI CMOS-process. Det klarar att skicka data med 250 MHz och förbrukar enbart 148 mW. Det är 43 procent lägre effekt än vad företagets traditionella inbygga DRAM tillverkade i 130 nm CMOS-process förbrukar. Testchipset upptar dessutom en yta som är drygt fem procent mindre än det traditionella minnet.
Genom att minnescellen inte inkluderar en kondensator minskar dess storlek i takt med att processen krymper, vilket är en viktig parameter för framöver system-på-kisel-lösningar.
