JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
fredag 25 september 2020 VECKA 39
Koreanska Samsung har tagit fram den första fungerande prototypen av ett fasförändrande RAM. Minnet är icke-flyktigt och förväntas ersätta dagens NOR-flash i framtida konstruktioner.
I och med att halvledargiganten Samsung kan visa upp en fungerande prototyp av sitt fasförändrande RAM, eller Phase-change Random Access Memory (PRAM) som det heter på engelska, har företaget också tagit ett kliv närmare morgondagens minnesgenration.

Prototypkretsen rymmer 512 Mbit och har en minnescell som är mindre än något annat fungerande minne, enlig Samsung. Cellen är 0,0467 µm2, alltså runt hälften av en NOR-cell.

Får man tro Samsung så beskrivs PRAM bäst med ett superlativ som ”bäst”. Minnet sägs kunna skalas bättre än alternativen. Det processar data snabbare än andra icke-flyktiga minnen. Det kan skriva minnescellen 30 gånger snabbare än ett vanligt flashminne och förväntas fungera 10 gånger längre. Så föga förvånade har minnet fått smeknamnet ”perfect” RAM.

Samsung är inte ensamt om att satsa på PRAM. I maj förra året gick Infineon (numera Qimonda), IBM och Macronix samman för att utveckla tekniken och i december kommer företagen att resovisa sina första forskningsresultat på International Electron Devices Meeting (IEDM) som hålls i in San Francisco. Även ST Microelectronics har forskning inom området.

Samsung flaggar för att PRAM blir ett attraktivt alternativ till NOR-flash under år 2008.

MER LÄSNING:
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)