Prototypkretsen rymmer 512 Mbit och har en minnescell som är mindre än något annat fungerande minne, enlig Samsung. Cellen är 0,0467 µm2, alltså runt hälften av en NOR-cell.
Får man tro Samsung så beskrivs PRAM bäst med ett superlativ som ”bäst”. Minnet sägs kunna skalas bättre än alternativen. Det processar data snabbare än andra icke-flyktiga minnen. Det kan skriva minnescellen 30 gånger snabbare än ett vanligt flashminne och förväntas fungera 10 gånger längre. Så föga förvånade har minnet fått smeknamnet ”perfect” RAM.
Samsung är inte ensamt om att satsa på PRAM. I maj förra året gick Infineon (numera Qimonda), IBM och Macronix samman för att utveckla tekniken och i december kommer företagen att resovisa sina första forskningsresultat på International Electron Devices Meeting (IEDM) som hålls i in San Francisco. Även ST Microelectronics har forskning inom området.
Samsung flaggar för att PRAM blir ett attraktivt alternativ till NOR-flash under år 2008.