About / Advertise
De fem elektronikjättarna IBM, Infineon, Samsung, Freescale och Chartered ska tillsammans utveckla produktionsteknik för framtidens CMOS-kretsar i 32 nm-teknik. Kommersiell produktion ska starta inom tre år.
Grundtanken är densamma som för tidigare samarbeten kring 90, 65 och 45 nm. Genom samverkan och gemensam framtagning av designkit och konstruktionsflöden som stöder processen ska parterna komma snabbare till marknaden och kunna göra mer effektsnåla kretsar än konkurrenterna. Nytt för denna gång är dock att Freescale är med i alliansen.Idag görs majoriteten av alla kretsar i 90 nm-teknik, med 65 nm som avancerat alternativ. Några få har börjat pilotproduktion av 45 nm-kretsar.
Vid 32 nm kommer sannolikt såväl nya grundämnen som nya typer av strukturer att bli nödvändiga. Metall-gate med högt k-värde, och tunnfilmer med extremt lågt k-värde hör till det som krävs, liksom förbättrad litografi.
Konsortiet siktar inte enbart på digital logik, utan vill också få in sådant som rf-element och inbyggt DRAM i processerna. Även kapslingen kommer att behöva vidareutvecklas.
Större delen av utvecklingsarbetet kommer även denna gång att utföras vid IBMs 300 mm-fabrik i East Fishkill utanför New York.
