About / Advertise
Ett flashminne som hanterar tre bitar per minnescell och lagrar hela 8 Gbyte. Det är vad koreanska Samsung just börjat producera. Nyligen skröt Intel och Micron om att de var först med provexemplar med motsvarande lagringskapacitet och teknik – men deras volymer får vänta till årsskiftet.
Gemensamt för Samsung och de två samarbetspartnerna Intel och Micron är att de lyckats utveckla NAND-minnen som kan lagra 64 Gigabit, alltså 8 Gbyte, samt att de alla använder en teknik som lagrar tre bitar per minnescell. Det som skiljer är att Intel och Micron kör i en 25 nm-process samt att duon än så länge endast har prover framme. Volymer kommer mot slutet av året, hävdar företagen. Samsung påstår sig däremot redan ha produktion igång och processen som används är vad man kallar av 20 nm-klass.
Intel och Micron har sedan tidigare ett minne i 25 nm som lagrar 8 Gbyte, fast det lagrar enbart två bitar per cell. Nytillskottet, som lagrar tre bitar per cell, är 131 kvadratmillimeter, vilket enligt de två företagen innebär att det är 20 procent mindre än föregångaren.
Hur stor yta Samsungs nylanserade 8 Gbyte-minne upptar avslöjar inte företaget.
Inte heller avslöjar Samsung, Intel eller Micron hur många gånger deras minnen som lagrar tre bitar per cell kan skrivas innan det degraderar. Däremot är alla tre överens om att de nya minnena kommer att ta en plats i framtida USB-tillämpningar, SD-minneskort samt annan konsumentelektronik
