Det var i maj för två år sedan som den koreanska minnesgiganten tog de första spadtagen. Förra sommaren installerades renrum och annan utrustning. I sommar har fabriken testkörts och nu är det alltså dags att dra igång produktionen på allvar.
Samsung meddelar att företaget har börjat tillverka sina allra modernaste DDR3 DRAM i den nya superfabriken. Minnena är tillverkade i 20 nm och har enligt Samsung 50 procent mindre yta och 40 procent lägre effektförbrukning jämfört med företagets motsvarande minnen i 30 nm. Även NAND-flash tillverkade i 20 nm ska börja produceras i den nya fabriken. Och redan nästa år ska startskottet för produktion av NAND-flash i 10 nm gå, hoppas Samsung.