JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Globalfoundries utmanar Intel på 14 nm

Globalfoundries FinFET 14 nmGlobalfoundries utmanar Intel på 14 nm

Redan om två år ska de första kretsarna baserade på tredimensionella FinFET-transistorer på 14 nm se dagens ljus. Håller tidsplanen passerar Globalfoundries konkurrenter som TSMC och tar sig dessutom ifatt Intel, som idag har ett försprång på minst en processgeneration gentemot övriga.
Den nya processen har döpts till 14 nm-XM där XM ska utläsas eXtreme Mobility vilket syftar på att kommande kretsar får 40 till 60 procent längre batteritider. Förbättringen är relativt den planära 20 nm-process som Globalfoundries ska ta i bruk nästa år.

Processen ser ut att bli en hybrid där det går att blanda lågeffektstransistorer på 20 nm med de tredimensionella FinFET-transistorerna på 14 nm.

Intel började att tillverka tredimensionella transistorer i en 22 nm-process i år. Företaget har arbetat med tekniken i ungefär tio år, lika länge som Globalfoundries säger sig ha hållit på.

Även foundryna TSMC och UMC utvecklar processer för tredimensionella transistorer. Företagen siktar på att introducera dessa år 2014 men i 20 nm-processer.

Utvecklingen av den nya processen sker i Globalfoundries fab utanför New York och ett antal kunder har redan fått tillgång till tidiga designmodeller. De första designerna (tape outs) kommer redan nästa år och håller planerna startar produktionen år 2014.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)