IBM hävdar genombrott inom kolnanorör
I IBM:s labb finns en tillverkningsteknik som tar bort kontaktresistansen mellan kolnanorör och metall. Genombrottet kan betyda att kolnanorör kan komma att ersätta transistorer tidigare än väntat, kanske innan detta årtionde är slut, enligt IBMÖkad kontaktresistans tar bort vinsten med att krympa transistorer. Problemet gäller både dagens kiselbaserade transistorer och framtidens kolnanorörsbaserade.
IBM beskriver tekniken i en artikel i tidskriften Science. Så länge det bara hänger på kontaktresistansen ska framtidens kolnanorörstransistorer nu kunna byggas i 1,8 nm. IBM:s tidigare kontakteringsteknik satte gränsen vid 20 nm.
Kontakten är av p-typ och den saknar Shottkybarriär. Transistorn är tillverkad i 9 nm och är av SWNT-typ (single-walled carbon nanotube) med en device-resistans under 36 kOhm och en on-current över 15 µA per rör.
Nästa utmaning för forskarna att packa kolnanorören tätare, så att det är 10 nm mellan dem.
Vad gäller klassisk halvledarteknik så byggs nästa generation halvledare från Intel i 10 nm med kommersiell lansering i slutet av 2017 samtidigt som IBM tillverkat testkretsar i en 7 nm-process som även den ligger åtminstone två år bort.
I bilden ovan syns kolnanoröret som ett mycket svag linje i den blå bakgrunden. Det gula är metallkontakter av olika tjocklekar som nanoröret fäster vid och därvid bilar flera stycken transistorer.
Läs en intervju med IBM-forskaren Shu-Jen Han på IBM:s egen webbplats, här (länk).