About / Advertise
Uppstartsföretaget Alixlabs i Lund, som utvecklar en metod för att göra litografiprocessen vid halvledartillverkning under 7 nm billigare och snabbare, har kvalificerat de första skivorna på 300 mm. Därmed ligger vägen öppen för potentiella kunder att testa den.
Alixlabs teknik har döpts till APS vilket står för Atomic Layer Etching (ALE) Pitch Splitting och delar upp nanostrukturer på wafern genom etsning. Rent praktiskt halveras linjebredden med etsningen.
– Vi har kvalificerat APS på 300 mm-skivor från Tyskland (Fraunhofer IPMS) och är nu öppna för kunddemos, skriver Jonas Sundkvist till Elektroniktidningen.
I ett exempel har företaget utgått från strukturer i amorft kisel som är 40 nm breda och delat upp dem i två strukturer som är under 15 nm breda med ett centrumavstånd på 20 nm.
De strukturer som skapas med APS kan bland annat användas för att tillverka fenorna i transistorer av FinFET-typ.
Etstekniken kan användas i både logik- och minnesprocesser och har potential att minska kostnaden för ett masklager med upp till 40 procent genom att ersätta dubbla eller fyrdubbla masksteg med etsprocessen.
Den passar för processer under 7 nm där de minsta fysiska dimensionerna i transistorerna är under 15 nm.
