Det amerikanska uppstartbolaget Destination 2D har visat att det går att tillverka grafenbaserade ledare direkt i en CMOS-process. Grafen tål upp till hundra gånger högre strömtäthet än koppar, vilket ger bättre energieffektivitet och värmehantering.
Till skillnad från andra metoder som skapar grafenförbindelser separat – och sedan integrerar dem i chipet – har Destination 2D utvecklat en teknik som skapar grafenlagret direkt på kislet. Processen använder en offerfilm i metall, exempelvis nickel, genom vilken kol pressas. Kolet ombildas till rena lager av grafen staplade på varandra direkt på waferns yta.
Därefter mönstras grafenförbindelserna genom doping med en metod som kallas interkalation vilket förbättrar prestanda. Dopningsatomer, såsom järnklorid, brom eller litium, diffunderas mellan grafenlagren. Dessa atomer donerar elektroner till grafenlagren, vilket minskar resistansen samtidigt som det kraftigt ökar förbindelsernas strömkapacitet. Tekniken är patenterad.
Nobelpristagaren och en av uppfinnarna av grafen, Konstantin Novoselov, har spelat en central roll i utvecklingsarbetet.