JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Ytterligare en GaN-stämning

För ett knappt år sedan stämde Infineon kinesiska Innoscience för intrång på två patent kring teknik för galliumnitridkomponenter. Nu kontrar Innoscience med en stämning i Kina.

Innoscience befinner sig i två separata patentstrider med amerikanska Efficient Power Conversion (EPC) och tyska Infineon. Bägge rör kraftkomponenter i galliumnitrid.

EPC tillhör pionjärerna på området och rönte nyligen framgång när den amerikanska handelskommissionen stoppade importen av Innoscience produkter även om själva stämningen rörande patentintrång inte är avgjord.

Infineon stämde Innoscience i mars 2024. Det handlar om en vertikal HEMT i en ytmonteringskapsel med återkoppling till sourcen vilket ger möjlighet att mäta parasitinduktansen, något som kan användas för att minska switchförlusterna vid höga frekvenser.

I praktiken avser stämningen Innoscience kretsar för 650 och 700 volt.

PC- och mobilindustrin har varit snabba med att anamma kraftkomponenter i galliumnitrid vilket fått efterfrågan att lyfta snabbt. Men även omvandlare för större effekter är på väg att bli kommersiella. Beroende på vem man frågar kommer marknaden att fortsatta växa med någonstans mellan 50 och 70 procent per år för att uppgå till 2 miljarder dollar år 2028. Siffran är från Yole Group.

Drivkrafterna är det mycket låga inre motståndet i kombination med snabb switchning, vilket gör att förlusterna i kraftomvandlarna blir mindre än med motsvarande kiselkomponenter, samtidigt som de dessutom är mindre.

Det här fick tyska Infineon att öppna plånboken och köpa kanadensiska GaN Systems för 830 miljoner dollar i mars 2023.

 

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)