About / Advertise
Den europeiska kiselkarbidkonferensen ECSCRM´98, som gick av stapeln i början av september i Motepellier, var mest fokuserad mot materialteknologi, defektkontroll och karakterisering men innehöll en del nya resultat på komponentsidan.
En förutsättning för goda komponentprestanda är tillgången på bra substratmaterial. Cree Research Inc. som är den störste tillverkaren av kiselkarbidskivor, SiC, visade upp sina senaste resultat och gav också en utblick på materialutvecklingen. Sedan förra året har Cree levererat 50 mm kiselkarbidskivor och avser att starta produktion av 75 mm-skivor före år 2000.
En vanlig defekt i SiC-skivorna är så kallade mikrorör. Antalet sådana defekter per skiva minskar stadigt i antal. För 35 mm-skivor är man nu nere i cirka tio mikrorör per kvadratcentimeter vilket är en femtedel jämfört med för ett år sedan. Ett nytt världsrekord rapporterades också av Cree vad gäller högsta spänningstålighet hos en så kallad PiN-diod tillverkad i 4H-SiC material, hela 5,9 kV!
Northrup-Grumman är det dominerande företaget vad gäller högfrekvenskomponenter i SiC. Nu presenterade man imponerande data på bland annat så kallade SIT komponenter, Static Induction Transistors. Dessa transistorer är främst tänkta för mycket höga effekter i sändarsteg.
De högsta värdena som rapporterades vid denna konferens var 450 W uteffekt vid 1,3 GHz pulsad arbetsmod. De bästa MESFET-komponenterna för hög uteffekt var 6,2 W vid 10 GHz, vilket innebär sex gånger högre effekttäthet än man visat i galliumarsenid som annars brukar användas vid dessa frekvenser.
Switchar effekten
Processtekniken för SiC har utvecklats mycket och Northrop-Grumman utvecklar komplicerade komponenter för effektswitchning vid hög temperatur. Genom att kombinera två komponenter, en asymmetrisk GTO, Gate Turn-off Thyristor, som högspänningsdel med en lågspänd MOSFET, håller man på att utveckla en ny hybrideffektswitch som kallas MTO, MOS Turn-off Thyristor.
Detta var andra gången den europeiska kiselkarbidkonferensen arrangerades och den samlade cirka 280 deltagare, en fördubbling från fjolåret. Det svenska deltagandet var påtagligt och befäste återigen att vi har ett starkt forskningsprogram inom kiselkarbid.
Mikael Östling
Författaren är forskare vid elektronikinstitutionen, KTH
