JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Beskrevs för 13 år sedan

Spinntransistorn beskrevs redan 1990 av Supriyo Datta och Biswajit A Das som teoretisk modell, och än har ingen varit i närheten att realisera den.
I en vanlig transistor går strömmen i en tunn kanal mellan source och drain. När man lägger på en spänning på gaten stöts elektronerna bort ur kanalen, som inte längre är ledande.

I en spinntransistor tänker man sig i stället att en ström elektroner med polariserad spinn passerar genom kanalen. Med en spänning på gaten kan man få elektronerna att ändra spinn, och de blir då inte igenomsläppta vid utgången.

Vinsten med detta är att det går mycket snabbare och drar mindre energi att ändra spinnet på en passerande elektron än att trycka undan elektronerna i kanalen. En spinntransistor skulle alltså kunna slå om betydligt snabbare än en vanlig fälteffekttransistor, samtidigt som den drar mindre ström. Så långt teorin. I praktiken är det många om och men på vägen som kan göra spinntransistorn omöjlig att konstruera i praktiken.

Elias Nordling

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)