JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Läs skriv och radera med 1,8 V

Med siktet inställt på mobiltelefoner och andra batteridrivna tillämpningar har AMD tagit fram flashminnen som både kan läsas, programmeras och raderas vid 1,8 V.


Amerikanska AMD blir först med ett flashminne som både kan läsas, programmeras och raderas med 1,8 V. AMD berövar därmed fransk-italienska SGS Thomson ledningen i kapplöpningen mot 0,9 V, den magiska gränsen för en battericell. Det flashminne SGS Thomson lanserade i oktober kräver minst 2,7 V för programmering och radering.

Lägre spänning ger längre taltid och längre standby-tid i mobiltelefonerna, som är den största avnämaren för den här typen av flashminnen. AMDs krets förbrukar 1 mA vid 1 MHz, 10 mA vid programmering eller radering och i vänteläge går den ner till försumbara 0,2 μA.

Den första modellen, Am29SL800, är på 8 Mbit och har en accesstid på 170 ns, snabbare modeller på 120 och 100 ns kommer under första kvartalet. Programmerings- och raderingstiderna är likvärdigt med de äldre 2,7 V varianterna. Minnena finns i 48-pinnars TSOP-kapsel eller fine pitch BGA, FPBGA.

En större modell på 16 Mbit kommer under tredje kvartalet och 32 Mbit i början av 1999. Priset är cirka 20 procent högre än motsvarande 2,7 V-modeller.

Per Henricsson

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)