JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Stapla flash och SRAM i samma kapsel

Toshiba, Fujitsu och NEC monterar flashminne och SRAM ovanpå varandra i samma kapsel. Därmed minskar den utnyttjade kretskortsyta med upp till 70 procent.


De tre japanska företagen har tillsammans tagit fram specifikationer för hur ett flashminne och ett SRAM kan staplas i en gemensam kapsel. Kapseln är en vidareutveckling av Fujitsus och Toshibas flerchipskapsel som integrerar flashminne och SRAM sida vid sida i samma enhet.

- Den staplade flerchipskapseln är i första hand framtagen för att användas i framtida mobiltelefoner, säger Ulrich vom Bauer, marknadsansvarig för Toshibas flashminnen och SRAM i Europa.

Det är bristen på utrymme i mobiltelefoner - men även annan bärbar utrustning - som gör den nya kapslingstekniken så intressant. I telefonerna används idag flashminne för kod, medan SRAM används för olika styrfunktioner.

Exakt hur kiselbrickorna kommer att staplas på varandra i kapseln är ännu inte officiellt. Men nyckeln till konstruktionen är en helt ny SRAM-design.



Staplas på höjden


- Vi har konstruerat ett SRAM med in- och utgångarna placerade på samma sätt som hos ett flashminne. Det gör att chipsen kan staplas utan att det krävs en massa extra ledningsdragning, säger Ulrich vom Bauer.

Den nya kapseln är av BGA-typ, med 56 lödkulor som har ett centrumavstånd på 0,8 mm, och den upptar omkring 70 procent mindre yta än om minnena är kapslade i var sin TSOP.

Vid en prismässig jämförelse visar det sig att flerchipskapseln till en början kommer att kosta det dubbla mot enstaka kretsar. Men när volymerna stiger skall priserna sjunka.

- Vårt mål är att flerchipskapseln inte skall vara dyrare än enstaka kretsar. Tekniken och materialet tillåter det. Däremot kan jag inte säga när vi når målet.

De första provexemplaren kommer vi att se mot slutet av året. Till att börja med innehåller de ett 16 Mbit flash och ett 4 Mbit SRAM. På sikt kommer ytterligare kombinationer att släppas med flashminnen på mellan 4 och 128 Mbit samt SRAM på 1 till 16 Mbit.

- Ytterligare en styrka är att Samsung, Seiko Epson och Hyundai Electronics kommer att börja använda den nya kapslingstekniken. Det gör den till en de facto-standard för flash och SRAM, avslutar Ulrich vom Bauer.

Anna Wennberg

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)