About / Advertise
Skillnaden i kiselyta mot SDRAM är nere i en procent
Samsung Electronics har utvecklat det första Rambusminnet som rymmer 576 Mbit. En kompaktare konstruktion av DRAM-kretsen sparar kiselyta och sänker kostnaden.
Samsung Electronics har utvecklat det första Rambusminnet som rymmer 576 Mbit. En kompaktare konstruktion av DRAM-kretsen sparar kiselyta och sänker kostnaden.
Samsungs nya Rambus DRAM är baserat på 0,12 µm processteknik och arbetar med 1 066 MHz klockhastighet. Hastigheten påstås vara ungefär åtta gånger högre jämfört med PC133 SDRAM och fyra gånger högre än DDR 266. Minnet är i första hand avsett för snabba persondatorer, arbetsstationer och servrar. Kretsen beräknas vara i full volymproduktion under andra kvartalet nästa år. Rambus DRAM behöver en större kretsyta jämfört med vanliga synkrona DRAM på grund av sin minnesarkitektur som är uppbyggd kring fyra interna minnesbankar. I den nya konstruktionen med den nya processtekniken påstår Samsung att man har minskat ytan till att bara uppta en procent mer kiselyta än SDRAM.
Processtekniken kommer också att användas för att uppgradera företagets existerande familj av 256 Mb och 128 Mb Rambusminnen. Genom detta blir utbytet 47 procent högre per kiselskiva än vad som har varit möjligt innan.
Samsung är en av de största rambustillverkarna och stod under första halvåret i år för 60 procent av alla Rambusminnen på marknaden.
Processtekniken kommer också att användas för att uppgradera företagets existerande familj av 256 Mb och 128 Mb Rambusminnen. Genom detta blir utbytet 47 procent högre per kiselskiva än vad som har varit möjligt innan.
Samsung är en av de största rambustillverkarna och stod under första halvåret i år för 60 procent av alla Rambusminnen på marknaden.
Lisa Ringström
