JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Kiselkarbid kan ge bättre verkningsgrad

Med transistorer i kiselkarbid kan man få upp verkningsgraden på effektförstärkarna i 3G-basstationerna. Det tror Chris Harris, som startat Advanced Microwave Device Solutions (AMDS).
En grundläggande orsak till den dåliga verkningsgraden för effektförstärkarna för 3G är att den stora skillnaden mellan genomsnitts- och toppsignal gör att transistorerna i konstruktionen får jobba på låg effekt där verkningsgraden är som sämst.

Med linearisering kan man öka transistorernas spännvidd, men i slutänden sätts taket av att transistorernas mättnadsnivå inte får vara lägre än WCDMA-signalernas toppnivå.

Chris Harris tror att det går att göra transistorer i kiselkarbid som är linjära över ett större område, vilket gör att de kan arbeta på en högre nivå där verkningsgraden är bättre.

- Kiselkarbid har i grunden bättre linearitet än vanligt kisel. Hittills har vi koncentrerat oss på att göra transistorer med inre stabilitet. Det har vi lyckats med, och de har också något bättre linearitet än kiseltransistorer. Nu går vi tillbaka för att öka lineariteten i våra transistorer, säger Chris Harris.

Minskad kylning

En annan egenskap hos kiselkarbid är att den kan fungera i mycket höga temperaturer, vilket skulle kunna spara ytterligare effektåtgång på minskad kylning. Chris Harris påpekar dock att det inte handlar om att bygga förstärkare med en arbetstemperatur på ett
par hundra grader. Även om kiselkarbiden tål det har den precis som andra ledande material mycket sämre egenskaper vid höga temperaturer.

Däremot kanske man skulle kunna dimensionera kylningen för genomsnittstemperaturen i stället för maxtemperaturen om man inte behöver oroa sig för att komponenterna brinner upp vid temperaturtoppar.

Chris Harris hoppas på att kunna få 10 procentenheter bättre verkningsgrad i förstärkarna med kiselkarbidtransistorer, men det beror helt på vilken linearitet de lyckas uppnå. Även om de inte når ända fram tror han att tillverkarna blir mycket glada över en förbättring på 2-3 procent. Något som Johan von Perner på Allgon bekräftar.

- Lyckas de med högre prestanda än dagens LDMOS-transistorer är vi väldigt tacksamma.

Elias Nordling

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)