About / Advertise
Intel tar steget till så kallat "strained silicon" i sin 90 nm process. En av de första kommersiella kretsarna som drar nytta av processen blir en processor med kodnamn Prescott.
Detta överraskande budskap gick halvledarjätten ut med i mitten av augusti. Redan förra sommaren avslöjade IBM en satsning på utsträckt kisel, men att Intel var inne på samma spår är en nyhet.Tekniken går ut på att öka elektronernas rörlighet genom att sträcka ut kiselstrukturen. Därmed ökar transistorernas drivström, vilket ger bättre prestanda. Intel säger sig ha ökat drivströmmen med mellan 10 och 20 procent, trots att tillverkningskostnaden endast ökar med 2 procent.
Företaget vill dock inte avslöja några detaljer om hur man lyckats uppnå dessa goda resultat. IBM utnyttjar dock en slags mall bestående av en blandning av kisel och germanium för att tvinga ett tunt kisellager att sträcka ut sig för att passa ihop med mallens kristallstruktur.
I övrigt har Intels 90 nm-process sju kopparlager, dielektrika med lågt k-värde samt ett mycket tunt gate-oxid-skikt, endast fem atomlager tjockt. Processen tillverkas uteslutande på 300 mm kiselskivor.
I våras använde Intel 90-nm processen för att tillverka vad som presenterades som världens tätast packade SRAM-chips. 52 Mbit trängdes på 109 mm2. SRAM-cellen var bara 1 μm2,
en hundradel så stor som en röd blodcell.
Charlotta von Schultz
