ST har sänkt matningsspänningen till 1,8 V och minnescellen är 0,16 μm2, vilket motsvarar en halvering i storlek jämfört med företagets tidigare 0,15 μm-varianter. Det motsvarar en 40 procentig krympning av kiselytan för 64 Mbits-minnen. Större minnesdensiteter minskar ännu mer i yta procentuellt sätt.
Företaget menar att övergången till volymproduktion kommer att gå snabbt och smidigt eftersom man behåller aluminiumledare såväl som den väletablerade 248 nm-litografin. Redan före årsskiftet räknar man med att kunna producera stora volymer. Minnena har en arkitektur med flera bankar och kan köras i synkront läge där data skickas skurvis. Nästa steg för ST är att utveckla ett 128-Mbitsminne samt minnen i ännu högre densiteter. Förtaget ska även flytta över sina existerande 0,15 μm-minnen på 16 Mbit och uppåt till den nya processen.
och Intel gör detsamma
Intel presenterade i våras provexemplar av ett 64 Mbits-minne tillverkat i 0,13 μm-teknik vid namn Wireless Flash.
Det matas med 1,8 V och är som namnet antyder avsett för mobiltelefoner. Företaget har nu börjat tillverka provexemplar av 128 Mbit-kretsar. Volymproduktionen väntas starta under det andra kvartalet år 2003. Intel "föreslår" ett pris på 17,75 dollar i kvantiteter om 10 000.
Minnena bygger på företagets minnesteknik Strataflash som lagrar två bitar per minnescell med hjälp av fyra olika laddningsnivåer. Företaget utvecklar även en 256 Mbit-variant i Wireless flash-serien.
Charlotta von Schultz