Renesas Technology och Grandis ska gemensamt utveckla magnetiska RAM i 65 nm. De första produkterna ska komma inom kort.
De två företagen ska gemensamt utveckla MRAM som använder Grandis teknik, kallad Spin Torque Transfer (STT), vid skrivning av minnet. Renesas ska börja leverera styrkretsar och system-på-kisel som integrerar det nya minnet ombord mycket snart.
Redan idag utvecklar Renesas MRAM. Fast hittills har företaget arbetat med mer traditionell teknik som utnyttjar magnetiska fält vid skrivning.
- Men vi tror att STT-tekniken är mer lämplig i framtida MRAM som använder fina processgeometrier då den ger bättre stabilitet vid skrivning och lägre strömförbrukning, säger Tadashi Nishimura på Renesas Technology i ett pressmeddelande
STT innebär att data skrivs genom att man arrangerar elektronens spin i en viss riktning. Det sker med hjälp av en ström som är polariserad i samma riktning som själva elektronerna