Jämfört med 65 nm-tekniken ryms dubbelt så många transistorer per ytenhet, transistorerna switchar 20 procent snabbare och drar 30 procent mindre ström. Just att minimera strömförbrukningen har varit ett av huvudmålen med den nya processen.
- Vår 45 nm-teknik ska bli grunden för morgondagens pc med förbättrad prestanda per watt, säger Bill Holt, chef för Intels teknik- och tillverkningsgrupp, i ett pressmeddelande.
De 45 nm SRAM man nu visat upp innehåller drygt en miljard transistorer och är producerade i Intels utvecklingsfabrik i Oregon. Det rymmer 153 Mbit och är 119 mm2 stort. På kretsen finns också PROM-matriser, faslåsta slingor, in- och utgångar, register samt en testslinga. I produktionen används 193 nm torr litografi, kopparförbindningar, dielektrika med lågt k-värde, sträckt kisel och andra finesser.
Massproduktion av 45 nm-kretsar är planerad till 2007, då på 300 mm-skivor, i två fabriker i Arizona och i Israel.