JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Intel visar 45 nm-kretsar

Som första tillverkare i världen har Intel visat upp fungerande kretsar gjorda i 45 nm-teknik. Det rör sig om ett SRAM med mer än en miljard transistorer.
Än håller Moores lag, det empiriska samband som säger att såväl antal transistorer per krets som kretsarnas prestanda dubbleras var 18 månad. Men det blir allt mer resurskrävande att hänga med i utvecklingen, så numera har bara de allra största råd att ligga först. Intel, världens största halvledartillverkare, var först ut med volymproduktion på 65 nm, så det är knappast överraskande att samma bolag nu visar de första 45 nm-kretsarna.

Jämfört med 65 nm-tekniken ryms dubbelt så många transistorer per ytenhet, transistorerna switchar 20 procent snabbare och drar 30 procent mindre ström. Just att minimera strömförbrukningen har varit ett av huvudmålen med den nya processen.

- Vår 45 nm-teknik ska bli grunden för morgondagens pc med förbättrad prestanda per watt, säger Bill Holt, chef för Intels teknik- och tillverkningsgrupp, i ett pressmeddelande.

De 45 nm SRAM man nu visat upp innehåller drygt en miljard transistorer och är producerade i Intels utvecklingsfabrik i Oregon. Det rymmer 153 Mbit och är 119 mm2 stort. På kretsen finns också PROM-matriser, faslåsta slingor, in- och utgångar, register samt en testslinga. I produktionen används 193 nm torr litografi, kopparförbindningar, dielektrika med lågt k-värde, sträckt kisel och andra finesser.

Massproduktion av 45 nm-kretsar är planerad till 2007, då på 300 mm-skivor, i två fabriker i Arizona och i Israel.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)