Kretsen är gjord i en vanlig 0,13 um CMOS-process. Forskarlagets chef, professor Kenneth O, berättar för nättidningen EE Times att man även har en 140 GHz VCO i labbet, gjord i 90 nm-teknik. Och enligt O ska det inte vara något problem att konstruera om denna till en ”push-push”-variant som då ska kunna nå 280 GHz. Konverteras denna i sin tur för produktion i 65 nm-teknik så torde den landa mellan 350 och 400 GHz.
- Att generera en Terahertz-signal i CMOS-teknik är inte långt borta, säger professor O till EE Times.
Forskningen sponsras av Darpa, det amerikanska försvarets utvecklingsavdelning. Darpa är intresserat av terahertztillämpningar för sensorer och bildbehandling. Terahertzteknik kan användas för så olika tillämpningar som att upptäcka kemikalier, att se genom kläder, dimma och rök och att diagnosticera hudcancer.