Infineon har lanserat sin första krets gjord i 65 nm. Kretsen, en mobiltelefonkrets med 30 miljoner transistorer, fungerade perfekt på första försöket.
Infineon har valt att inte utveckla någon egen 65 nm-process, utan i stället samarbeta i konsortiet ICIS, med IBM, Chartered och Samsung. Att man nu fått fram sin första 65 nm-krets, som därtill fungerade klanderfritt från början, är enligt företaget ett starkt bevis på att strategin fungerar.
Kretsen är gjord hos Chartered i Singapore, och har enligt Infineon lägre effekt än tidigare varianter. Den upptar 33 mm2 kiselyta och innehåller processorkärna, DSP-kärna, flera sorters minnen och därtill analoga delar och rf-delar.
Volymproduktion av denna och andra 65 nm-kretsar är planerad till slutet av året.