Under en tid har företaget därför utvecklat en tredimensionell arkitektur, kallad tri-gate transistor, som ger betydligt bättre prestanda och energieffektivitet vid fina processgeometrier.
Den nya transistorarkitekturen kan komma att bli ett byggblock i framtida mikroprocessorer när processgeometrin krympt under 45 nm, hävdar Intel i ett pressmeddelande.
– Vi har lyckats kombinera tre nyckelelement, tri-gate-transistorer, högt k-värde och sträckt kisel, vilket resulterat i en transistor med rekordprestanda. Resultatet gör oss övertygade om att vi kan följa Moores lag en god bit in på nästa decennium, säger Mike Mayberry som är ansvarig för halvledarforskningen på Intel.
Intel hävdar att den nya 3D-transistorn erbjuder 45 procent högre switchfrekvens samtidigt som effektförbrukningen vid switchning minskar med 35 procent, jämfört med dagens transistorer i 65 nm.