JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. 110 GHz - världens snabbaste transistor

Universitetet i Southamton har byggt världens snabbaste transistor i bipolär standardteknik, genom att dopa den med fluor.
En frekvens (cut-off frequency) på 110 GHz är dubbelt så hög som det gamla världsrekordet.

– Den här är en nivå som man tidigare bara kunde uppnå i kiselgermanium, säger professor Peter Ashburn.

Genom att dopa med fluor har forskarna lyckats dämpa bordiffusionen i transistorbasen. Då blir basen trängre och elektronerna tar sig igenom den snabbare. Tekniken finns beskriven i en teknisk rapport (länk) .

Forskningen har skett i samarbete med ST Microelectronics.

Peter Ashburn tror sig kunna öka frekvensen med ytterligare 50 procent.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)