About / Advertise
IBM och TDK har ingått ett gemensamt forsknings- och utvecklingsprojekt med syfte att utveckla magnetorestriktiva minnen, MRAM, med höga densiteter. Projektet ska vara i fyra år.
Målet med projektet är att utveckla en ny skrivteknik, kallad ”spin-momentum transfer”. Den drar mindre energi och använder mindre cellstorlekar. Om duon lyckas i sitt utvecklingsarbete tror man sig kunna tillverka MRAM med 20 gånger högre densitet än dagens minnen. – Under de senaste åren har vi haft några forskningsgenombrott med MRAM baserade på tunnlingsteknik, men vi har inte lyckats kommersialisera konstruktionerna. Vi tror att det nya programmet har större chans att lyckas, säger Bill Gallagher, på IBM till nättidningen EETimes.
Tekniken ”spin-momentum transfer” drar nytta av den spinnande elektronens magnitisering och låter den ändra minnescellens magnetisering. Enbart genom att låta en polariserande ström passera genom det magnetiska lagret i en minnecell tror man sig kunna växla från en etta till en nolla och vice versa.
Under de kommande fyra åren är tanken alltså att IBM och TDK utveckla MRAM i 65 nm. Idag tillverkas MRAM i 180 nm. Processkrympningen ska ge en direkt densitetsökning på cirka nio gånger, medan en krympt minnescellsarkitektur tros stå för resterande förbättring.
IBM har tidigare utvecklat MRAM tillsammans med Infineon, men företagen nådde inte de uppsatta målen i sitt utvecklingsprojekt. Därefter har IBM samarbetet med både Qimonda och Macronix kring fasändrande RAM, PRAM, som spås kunna bli en konkurrent till MRAM. Även Intel forskar på PRAM.
