JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Japan visar upp strömsnålt LTE-chips
Japanska NTT Docomo har visat upp en första halvledarkrets avsedd för 3G-tekniken LTE, Long Term Evolution. Kretsen har i tester klarat att ta emot 200 Mbit/s med mimo-multiplexering, och då bara dragit 0,1 W.
När Ericsson i vintras visade upp det första fungerande LTE-systemet, på mässan 3GSM i Barcelona, väckte det vederbörligt uppseende. Men det systemet var byggt som en prototyp, huvudsaklingen med hjälp av FPGA-kretsar.

Nu kommer de första dedikerade halvledarna för LTE. Den brittiska tidningen Electronics Weekly rapporterar om NTT Docomos framsteg - en krets som demodulerar och demultiplexerar ODFM-signaler från fyra antenner i ett Mimo-system, med 20 MHz bandbredd och då nå en datatakt på 200 Mbit/s. Hur snabbt LTE kommer att bli i verkligheten återstår att se - noteras kan att Ericssons demonstratornät nådde 144 Mbit/s.

Signalbehandlingen i kretsen bygger på en teknik kallad MLD, Maximum Likelihood Detection, som NTT Docomo utvecklat tidigare.

Företaget poängterar att kretsen, tack vare "avancerad effektbesparande signalbehandling" gjorts så strömsnål som 0,1 W under drift. Det ska enligt företaget vara tillräckligt lite för att kretsen redan i sitt nuvarande skick ska kunna fungera i LTE-terminaler.
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)