JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
Flashminnespartnerna Sandisk och Toshiba planerar att släppa prover av NAND-flashminnen om 16 Gbit tillverkat i 43 nm. Samtidigt avslöjar företagen att de har utvecklat en NAND-arkitektur som lagrar tre bitar per cell. Prover kommer inom kort.

Sandisk och Toshiba utvecklar NAND-flashprocesser i flernivåsteknik i gemensam regi och innan sommaren kommer de två förtagen att börja leverera NAND-minnen tillverkade i 43 nm. Det nya minnet lagrar 16 Gbit på 120 kvadratmillimeter, vilket är cirka 30 procent mindre yta än vad dagens 16 Gbit-minnen tillverkade i 56 nm kräver. De första kretsarna i 43 nm kommer under våren. Under andra halvan av 2008 kommer kretsar som rymmer 32 Gbit.

Samtidigt som Sandisk och Toshiba berättar om den planerade processkrympningen avslöjar företagen planer på att börja tillverka världens första kommersiella NAND-arkitektur som lagrar tre bitar per minnescell. Minnena tillverkas i 56 nm, rymmer 16 Gbit och får en skrivhastighet om 8 Mbyte/s. Volymproduktionen ska vara igång under mars eller april.
MER LÄSNING:
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev

SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)