About / Advertise
IM Flash Technologies – Intel och Microns samägda NAND-bolag – har utvecklat ett flashminne som lagrar tre bitar per cell och rymmer 32 Gbit på 126 mm2. Det är världsledande, hävdar företaget som planerar massproduktion innan årsskiftet.
I slutet på förra året satte IM Flash hård press på konkurrenterna genom att tidigare än planerat ta klivet till nästa processgeneration, 34 nm. Nu sätter företaget in nästa stöt. Innan årets slut ska ett NAND-flash i 34 nm som lagrar tre bitar per cell vara redo för volymer. Micron har redan provexemplar framme. – Vi ser vår 3bpc-teknik (3 bitar per cell) som en mycket viktig del framöver, samtidigt fortsätter vi även att utveckla finare processgeometrier, säger Brian Shirley på Micron i ett pressmeddelande.
Han avslöjar att Micron och Intel planerar att introducera nästa processgeneration senare i år. Exakt vilket geometri det handlar om är däremot inte officiellt, utan den går under beteckningen 2x nm.
Även Toshiba och Sandisk har gemensamma planer på att tillverka ett 32 nm-minne med tre bitar per cell mot slutet av detta år. Företagen säger sig även ha samutvecklat ett minne som lagrar fyra bitar per cell, men när det ska tillverkas är inte klart.
Racet mot allt kompaktare flashminnen kommer att skapa ytterligare prisras framöver, spår analysföretaget Objective Analysis. Företaget konstaterar att marknaden för flashminnen har vuxit snabbare än någon annan halvledarmarknad någonsin gjort och anledningen är det extremt snabbt sjunkande priset per bit.
– När tekniken nu går mot tre bitar per cell kommer priset att sjunka ytterligare. De företag som kan tillverka extremt kostnadseffektivt kommer att tjäna pengar på konkurrenternas bekostnad, säger Jim Handy, analytiker på Objective Analysis.
IM Flashs 3bpc-minnen som lanseras inom kort är tänkta att användas i exempelvis USB-pinnar och minneskort. Tekniken är ännu inte mogen för hårddiskar, då minnena inte kan skrivas tillräckligt många gånger i dagsläget.
